IR:INTERNATIONAL RECTIFIER
🌍 概要 International Rectifier (以下 IR 社)は、 1947 年に米国カリフォルニア州ロサンゼルスで設立された、パワーエレクトロニクス分野の世界的先駆企業です。主にパワー半導体デバイス 、すなわち電力を制御・変換するトランジスタやダイオード、 MOSFET 、 IGBT 、整流器などを開発・製造してきました。 その技術は、自動車、産業機器、民生機器、軍事、航空宇宙、エネルギー変換装置など、あらゆる分野で利用されています。 IR 社は、 シリコン整流器を世界で初めて商業化 した企業のひとつであり、その後の 70 年以上にわたり「パワー半導体」の歴史そのものをリードしてきました。 2015 年には、同じく米国の半導体大手 Infineon Technologies (インフィニオン・テクノロジーズ) に買収され、現在は Infineon 傘下でその技術とブランドが継承されています。 🏭 沿革と発展の歴史 1947 年 : IR 社が設立。社名の「 Rectifier 」は「整流器」を意味し、当初は交流を直流に変換する整流素子の開発に特化していました。 1950 年代 :高信頼性のシリコン整流ダイオードを開発し、軍需・航空分野で採用されます。第二次大戦後のアメリカにおけるエレクトロニクス産業の成長を背景に、 IR は電源技術の中核企業として急成長しました。 1960 〜 1970 年代 :シリコン制御整流器( SCR )やパワートランジスタを量産化。世界の電力変換・モーター制御市場で確固たる地位を築きます。 1980 年代 : MOSFET ( Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor )の高電力応用を開拓。 IR はパワー MOSFET 市場の草分けとして知られ、 **HEXFET® (ヘックスフェット) ** ブランドを確立しました。 1990 年代 :産業用インバータ、 UPS 、車載電源、通信電源などの応用に向けて、低オン抵抗・高速スイッチングのデバイスを次々と開発。 2000 年代 :デジタル制御電源用 IC 、ハーフブリッジモジュール、 IGBT ドライバ、同期整流技術などを展開し、電...